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Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes - Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies Nabil Shovon Ashraf
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Parameter-Centric Scaled FET Devices: Physics Based Perspectives and Attributes - Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies
Nabil Shovon Ashraf
Parameters that determine the performance of silicon-based Field Effect Transistors (FET) devices in the presence of degenerate doping, often are not modeled properly and so require precise analysis to improve modeling accuracy.
| Medien | Bücher Gebundenes Buch (Buch mit hartem Rücken und steifem Einband) |
| Erscheinungsdatum | 27. März 2025 |
| ISBN13 | 9783031842856 |
| Verlag | Springer International Publishing AG |
| Seitenanzahl | 129 |
| Maße | 150 × 220 × 20 mm · 472 g |
| Sprache | Deutsch |
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