Freunden von diesem Artikel berichten:
Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si
Sonia Kaschieva
Bestellware
Napromieniowanie elektronami MeV heterostruktur Si
Sonia Kaschieva
Badano generowanie defektu radiacyjnego przez napromieniowanie elektronami MeV o wysokiej energii struktury n- i p- typu Si-SiO2 ró?nymi rodzajami tlenków. Zmiany morfologiczne tlenku Si-SiO2 podczas napromieniania elektronami MeV obserwowano za pomoc? AFM. Przedstawiono zaimplantowane struktury Si-SiO2 z jonu Si+ przed i po na?wietlaniu elektronami MeV. Redystrybucj? atomów tlenu i krzemu oraz generacj? nanokrysztalów Si podczas napromieniania elektronów MeV obserwowano odpowiednio za pomoc? technik RBS/C i AFM. Przeprowadzono równie? badania wla?ciwo?ci optycznych, fotoluminescencji i spektroskopowe na?wietlanych elektronami MeV folii SiOx.
Medien | Bücher Taschenbuch (Buch mit Softcover und geklebtem Rücken) |
Erscheinungsdatum | 21. Mai 2020 |
ISBN13 | 9786200995773 |
Verlag | Wydawnictwo Nasza Wiedza |
Seitenanzahl | 172 |
Maße | 152 × 229 × 10 mm · 258 g |
Sprache | Polnisch |
Weitere Titel von Sonia Kaschieva
Alle Titel von Sonia Kaschieva ansehen ( u. a. Taschenbuch )