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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications 2014 edition
Supriya Karmakar
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Novel Three-state Quantum Dot Gate Field Effect Transistor: Fabrication, Modeling and Applications 2014 edition
Supriya Karmakar
The book presents the fabrication and circuit modeling of quantum dot gate field effect transistor (QDGFET) and quantum dot gate NMOS inverter (QDNMOS inverter). It also introduces the development of a circuit model of QDGFET based on Berkley Short Channel IGFET model (BSIM).
148 pages, 72 black & white illustrations, 49 colour illustrations, 24 black & white tables, biograp
Medien | Bücher Gebundenes Buch (Buch mit hartem Rücken und steifem Einband) |
Erscheinungsdatum | 10. Dezember 2013 |
ISBN13 | 9788132216346 |
Verlag | Springer, India, Private Ltd |
Seitenanzahl | 134 |
Maße | 155 × 235 × 9 mm · 390 g |
Sprache | Englisch |
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